This site uses cookies.
Some of these cookies are essential to the operation of the site,
while others help to improve your experience by providing insights into how the site is being used.
For more information, please see the ProZ.com privacy policy.
Freelance translator and/or interpreter, Verified site user
Data security
This person has a SecurePRO™ card. Because this person is not a ProZ.com Plus subscriber, to view his or her SecurePRO™ card you must be a ProZ.com Business member or Plus subscriber.
Affiliations
This person is not affiliated with any business or Blue Board record at ProZ.com.
English to Russian: A Patent Application on Mobile Communications General field: Tech/Engineering Detailed field: Telecom(munications)
Source text - English
Claims
1. An emergency-information receiving method in which a plurality of mobile stations receives emergency information in a mobile communication system in which a radio base station is configured to transmit a plurality of types of system information repeatedly within a modification period to the mobile stations via a broadcast channel, and to notify the mobile stations of a predetermined trigger via the broadcast channel regardless of the modification period, the method comprising the steps of:
(A) starting, at the mobile stations, receiving scheduling-information-notification system information at a current modification period without waiting until a next modification period starts, when detecting the predetermined trigger; and
(B) receiving, at the mobile stations, emergency-information-notification system information on the basis of scheduling information notified by the received scheduling-information-notification system information.
2. The emergency-information receiving method according to claim 1, further comprising a step of:
(C) performing, at the mobile stations, processing corresponding to the emergency information notified by the received emergency-information-notification system information.
3. A mobile station configured to receive emergency information in a mobile communication system in which a radio base station is configured to transmit a plurality of types of system information repeatedly within a modification period to a plurality of mobile stations via a broadcast channel, and to notify the mobile stations of a predetermined trigger via the broadcast channel regardless of the modification period, the mobile station comprising:
a scheduling-information-notification system information receiver unit configured to start receiving scheduling-information-notification system information at a current modification period without waiting until a next modification period starts, when detecting the predetermined trigger; and
an emergency-information-notification system information receiver unit configured to receive emergency-information-notification system information on the basis of scheduling information notified by the received scheduling-information-notification system information.
4. The mobile station according to claim 3, further comprising:
a processor unit configured to perform processing corresponding to the emergency information notified by the received emergency-information-notification system information.
Translation - Russian
Формула изобретения
1. Способ приема информации о чрезвычайной ситуации множеством мобильных станций в системе мобильной связи, в которой базовая радиостанция выполнена с возможностью многократной передачи в мобильные станции множества типов системной информации в течение периода корректировки через широковещательный канал, и с возможностью передачи в мобильные станции извещения о заранее определенном триггере через широковещательный канал независимо от периода корректировки, включающий шаги:
(A) запуска в мобильных станциях, при обнаружении заранее определенного триггера, приема системной информации, сообщающей информацию планирования, в текущем периоде корректировки без ожидания начала следующего периода корректировки; и
(B) приема в мобильных станциях системной информации, извещающей о чрезвычайной ситуации, на основании информации планирования, сообщенной посредством принятой системной информации, сообщающей информацию планирования.
2. Способ приема информации о чрезвычайной ситуации по п. 1, дополнительно включающий шаг
(C) выполнения в мобильных станциях операции, соответствующей информации о чрезвычайной ситуации, сообщенной посредством принятой системной информации, извещающей о чрезвычайной ситуации.
3. Мобильная станция, выполненная с возможностью приема информации о чрезвычайной ситуации в системе мобильной связи, в которой базовая радиостанция выполнена с возможностью многократной передачи множества типов системной информации в течение периода корректировки в множество мобильных станций через широковещательный канал и передачи в мобильные станции извещения о заранее определенном триггере через широковещательный канал независимо от периода корректировки, включающая:
модуль приемника системной информации, сообщающей информацию планирования, выполненный с возможностью запуска приема системной информации, сообщающей информацию планирования, в текущем периоде корректировки без ожидания начала следующего периода корректировки, при обнаружении заранее определенного триггера; и
модуль приемника системной информации, извещающей о чрезвычайной ситуации, выполненный с возможностью приема системной информации, извещающей о чрезвычайной ситуации, на основании информации планирования, сообщенной посредством принятой системной информации, сообщающей информацию планирования.
4. Мобильная станция по п. 3, дополнительно включающая модуль процессора, выполненный с возможностью выполнения операции, соответствующей информации о чрезвычайной ситуации, сообщенной посредством принятой системной информации, извещающей о чрезвычайной ситуации.
English to Russian: A Scientific Paper on Ferroelectric Capacitors General field: Science Detailed field: Physics
Source text - English EXPERIMENTAL
The MFM capacitors used in this work were fabricated as follows. P(VDF-TrFE) copolymer powder, with 70/30 mol ratio (Hisense Electronics Co., China), without any further purification, was dissolved in 2-butanone with a concentra-tion of 2.5 wt %. The copolymer films were spin-coated on photolithographically patterned Cr/Au contacts. The resulting films were dried and annealed at 120 °C for 2 h in a vacuum oven (~20 Torr). Gold was then thermally evaporated as the top contact. Both the copolymer film and top contact were patterned using photolithography. The resulting thickness of the copolymer is approximately 100 nm (measured by a Dektak profilometer) and the area of the MFM capacitor is 3.00х10−4 cm2 . More details of the fabrication can be found in Ref. 13. The resulting films have a rms roughness of 1.8 nm, as measured using atomic force microscopy (AFM, DM09 Veeco).
The dielectric response of the devices was determined using capacitance-voltage (C-V) measurements using a HP4284 system (Agilent). Ferroelectric switching polarization was characterized using two methods: (a) hysteresis loop measurement (Fig. 1(a)) usinga1 Hz triangular wave swept at several voltages and (b) switching and nonswitching polarization (Psw and Pns) using a standard ferroelectric memory characterization method, the positive up negative down (PUND) method (Fig. 1 (b)).14,15
In the PUND method, Psw is defined as the charge switched from one remanent polarization state to the maximum polarization state of the opposite polarity. This corresponds to the integration of the current in the switching transient. Pns is the nonswitched charge from the maximum polarization to the remanent po-larization state, corresponding to the integration of current when the capacitor switches at the same polarity. Psw and Pns are defined as follows:
Psw=Pmax+Pr, (1), Pns=Pmax−Pr, (2)
where Pmax is the maximum polarization and Pr is the remanent polarization. In the PUND method, five sequential pulses with the same width and voltage level are applied to the MFM capacitor. The first pulse was used to initialize the device into negative polarization. The second and third pulses are used to measure Psw from negative to positive and Pns in the positive region, respectively. The fourth and fifth pulses are used to measure both polarizations in the opposite direction. The time delays between each pulse in our mea-surement are set to 1 s. Both of these measurements use a virtual ground circuit (RT66B, Radiant Technology). A Temptronic thermal stage system was used for temperature control. The MFM capacitors studied here were stable, with high polarization.
Translation - Russian Эксперимент
Конденсаторы металл-сегнетоэлектрик-металл (МСМ), использованные в настоящей работе, были изготовлены следующим образом. Порошок сополимера П(ВДФ-ТрФЭ) с молярным соотношением 70/30 (производства Hisense Electronics Co., Китай) без дополнительной очистки растворяли в 2-бутаноне до концентрации 2,5% по массе. Методом полива быстро вращающейся подложки с контактами из хрома с золотым покрытием, выполненными способом фотолитографии, формировали пленки сополимера. Полученные пленки сушили и отжигали при 120 °C в течение 2 ч в вакуумной печи (~20 торр) и затем термически напыляли верхний электрод из золота. Шаблоны для нанесения пленки и верхнего электрода были выполнены с использованием фотолитографии. Толщина пленки сополимера, измеренная профилометром Dektak, составляла около 100 нм, площадь конденсатора 3,00х10–4 см2. Подробнее процедура изготовления описана в [13]. Среднеквадратичная шероховатость пленок по данным атомно-силовой микроскопии (DM09 Veeco) составляла 1,8 нм.
Диэлектрический отклик конденсаторов определяли путем измерения зависимостей емкости от напряжения (C-V) с использованием системы HP4284 (Agilent). Сегнетоэлектрическую переключаемую поляризацию определяли двумя способами: (a) измерением петель гистерезиса (фиг. 1(а)), полученных при воздействии напряжения треугольной формы с частотой 1 Гц при нескольких разных амплитудах, и (b) стандартным способом испытания сегнетоэлектрической памяти PUND (positive up, negative down; фиг. 1(b)) [14, 15], в котором определяется переключаемая и непереключаемая поляризация (Psw и Pns).
В способе PUND величина Psw определяется как заряд, переключаемый при переключении конденсатора из одного стабильного состояния поляризации в состояние с максимальной поляризацией противоположного знака, что соответствует интегрированию тока в переходном процессе при переключении поляризации. Pns представляет собой непереключаемый заряд, связанный с изменением поляризации от максимального значения до остаточного значения, соответствующий интегрированию тока при воздействии на конденсатор импульса той же полярности. Psw и Pns определяются следующим образом:
Psw=Pmax+ Pr (1) Pns=Pmax–Pr, (2)
где Pmax — максимальная поляризация и Pr — остаточная поляризация. В способе PUND на конденсатор МСМ подавали пять последовательных импульсов с одинаковой длительностью и амплитудой. Первый импульс использовался для придания конденсатору исходной отрицательной поляризации. Второй и третий импульсы использовались для измерения Psw при переключении поляризации из отрицательного в положительное состояние и Pns в положительной области, соответственно. Четвертый и пятый импульсы использовались для измерения обеих поляризаций при переключении в противоположном направлении. Длительность задержки после каждого импульса составляла 1 с. В измерениях обоих типов использовалась схема с виртуальной землей (RT66B, Radiant Technology). Для регулировки температуры использовался термостолик Temptronic. Изучавшиеся конденсаторы МСМ были стабильны и имели высокую поляризацию.
English to Russian: A page from a book on environmental surfaces and interfaces General field: Science Detailed field: Physics
Source text - English
Translation - Russian Теория БКФ
Для поверхности монокристалла важную роль в определении скорости и режима роста кристалла из пересыщенного раствора играет степень его пересыщения. Идея роста минералов как «совершенных» кристаллов была высказана еще в конце XIX века (Gibbs, 1878). При очень высоком пересыщении новая поверхность кристалла может зарождаться одновременно во многих местах подложки, в результате чего поверхность становится негладкой. Только при очень высоком пересыщении свободная энергия новой поверхности, связанная с этим быстрым зародышеобразованием, компенсируется образованием минерала в объеме. При несколько меньшем пересыщении на плоской поверхности подложки могут образовываться двумерные зародыши, которые растут в двух измерениях в процессе, который иногда называют «зарождение и разрастание» (рис. 9.6).
Бартон, Кабрера и Франк в серии публикаций, венцом которых стала их эпохальная работа «Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей» (Burton, et al., 1951), создали теоретические основы описания роста кристаллов в слабо пересыщенных растворах (а также в газовой фазе). Поскольку по большей части природные воды пересыщены не сильно, эта работа имеет большое значение для химии природных поверхностей. На ее основе была создана концепция, называемая сейчас теорией БКФ. Эти авторы обратили внимание на важную роль (1) имеющих высокую реакционную способность уступных центров, находящихся на краях ступенек, и (2) винтовых дислокаций, которые могут служить источником бесконечных ступенек. Благодаря этим особенностям образование зародышей и рост на поверхностях минералов могут происходить даже в условиях умеренного пересыщения.
Винтовые дислокации (глава 5) особенно значимы для процессов образования зародышей и роста кристаллов. Нетрудно понять, что когда рост происходит от уступного центра на прямой ступеньке, уступ в конце концов упрется в край кристалла, в то время как винтовая дислокация, пересекающая поверхность кристалла (рис. 9.6), может воспроизводить ступеньку непрерывно (рис. 9.7). На фиг. 9.8 показаны холмики, возникшие в результате роста на винтовой дислокации с формированием множества спиральных ступенек.
В гипотетическом случае атомно-гладкой грани кристалла скорость роста определяется процессами образования ступенек и их бокового перемещения по поверхности (Markov, 1995), которые не зависят друг от друга, то есть скорость определяется частотой образования двумерных зародышей на поверхности. Краями таких зародышей являются ступеньки. Для образования двумерного зародыша необходимо преодолеть энергетический барьер, связанный с увеличением площади поверхности, что возможно только при пересыщении выше некоторого критического. Но винтовые дислокации, пересекающие поверхность, создают центры первоначального закрепления и служат источником непрерывных ступенек. В этом случае скорость роста ограничивается уже не образованием новых зародышей, а скоростью движения ступеньки, которая зависит от таких факторов, как (1) высота и структура ступеньки; (2) скорость поверхностной диффузии; (3) взаимодействие между ступеньками; (4) поверхностная плотность дефектов кристалла; и (5) концентрация примесей, которые могут, в частности, препятствовать движению ступенек (Markov, 1995).
При спиральном росте, когда образуются холмики роста, расстояние между соседними витками спирали оказывает значительное влияние на скорость роста грани кристалла. Расстояние между ступеньками обратно пропорционально степени пересыщения, то есть в более пересыщенном растворе на винтовых дислокациях вырастают холмики с более крутыми склонами. При наличии пары дислокаций спирали роста могут пересекаться и сложным образом взаимодействовать между собой. Это взаимодействие зависит от того, различаются или совпадают знаки дислокаций, от расстояния между дислокациями и от степени пересыщения (Burton, et al., 1951).
English to Russian: A part of graphic multimeter manual General field: Tech/Engineering Detailed field: Electronics / Elect Eng
Source text - English
Single triggering establishes a fixed trigger point for the waveform display. The input signal only needs to cross the trigger amplitude set by the trigger level and in the direction set by the slope setting. While in single trigger mode, the frequency counter trigger circuit sets two predetermined levels that are not adjustable. This ensures a stable frequency reading while triggering the waveform with a single trigger.
Dual triggering (the default setting) requires that the signal pass through both upper and lower trigger points to trigger the waveform and frequency counter. These points are initially set based on percentages of the input signal amplitude. You can change both levels with the Trigger Softkeys. Dual triggering provides a more stable waveform display in noisy environments.
Choosing the Acquisition Type
Instead of using the continuous internal trigger, you can instruct the GMM to update the screen only once, yielding a retained, snapshot view (“Single Shot”) of an input signal meeting the trigger requirements. Press 3 from the View Mode Softkeys.
Yet another selection allows you to display and monitor only randomly-occurring or fast transient events or glitches (“Glitch Capture”). Trigger levels are preset and are not ajustable. The “Glitch” must have a change rate higher that 1 kHz and an amplitude > 20% of the selected GMM range.
“Single Shot” and “Glitch Capture” use the same submenu of softkeys as described in the following paragraphs
Using Single Shot and Glitch Capture Softkeys
1 (Arm) resets the trigger circuit and readies the GMM test tool to capture another single shot waveform or glitch capture transient. “Arm” is selected (highlighted) initially. When the entire waveform is captured, “Arm” reverts to normal contrast.
The display shows elapsed time (hh:mm) since arming or, if a trigger subsequently occurred, time between arm and trigger. The time cycles from 00:00 through 99:59 continuously until a trigger is received.
2 and 3 (< and >) move the waveform left or right for viewing (available once the waveform is completely captured). If you press 1 again, the arm cycle starts over, < and > disappear, and the arm-to-trigger time begins at 00:00. Waveform position accomplished with < and > is retained across arm cycles. Six time base divisions prior to the trigger and 19 time base divisions after the trigger can be viewed using < and >, respectively. Refer to Figure 5-4 for an overview of time divisions
5 (Exit) returns to the View Softkeys.
Free Run operation and autoranging are not available during “Single Shot” and “Glitch Capture”. Selecting Touch Hold cancels “Single Shot” and “Glicth Capture”.
Translation - Russian
Режим запуска по одному уровню устанавливает фиксированную точку запуска отображения осциллограммы. Входному сигналу достаточно пересечь заданный уровень срабатывания триггера в направлении, заданном настройкой нарастания сигнала. Схема запуска частотомера в данном режиме использует запуск по двум предустановленным уровням, которые не регулируются пользователем. Этим обеспечивается стабильность показаний частотомера в режиме запуска по одному уровню.
В режиме запуска по двум уровням (установка по умолчанию) для запуска развертки и частотомера сигналу необходимо пересечь верхний и нижний уровни триггера. Уровни задают предварительно в процентах от амплитуды входного сигнала, изменить их можно программируемыми клавишами "Trigger" ("Запуск"). Запуск по двум уровням обеспечивает более стабильную осциллограмму при повышенном уровне шума.
Выбор типа измерений
Вместо использования периодического внутреннего запуска, можно настроить графический мультиметр на однократное обновление экрана, когда в момент соответствия входного сигнала параметрам запуска развертки формируется однократный мгновенный "снимок" ("Single Shot") сигнала. Для этого нажмите программируемую клавишу 3 в наборе клавиш настройки режима View.
Еще один режим измерений "Glitch Capture" ("Регистрация выброса") дает возможность наблюдения случайных событий, быстрых переходных процессов или выбросов. Уровни запуска при этом предустановлены и не регулируются. Выброс должен иметь скорость изменения выше 1 кГц и амплитуду более 20% от выбранного предела измерений мультиметра.
Режимы "Single Shot" и "Glitch Capture" используют одно и то же подменю программируемых клавиш, описываемое далее.
Использование программируемых клавиш режимов "Single Shot" и "Glitch Capture"
1 (Arm – Подготовка к запуску) Выполняется сброс схемы запуска и подготовка мультиметра к регистрации новой осциллограммы или выброса. Клавиша выбрана (выделена) изначально, а по завершении регистрации осциллограммы восстанавливается ее обычный контраст.
На дисплее отображается время (чч:мм) с момента сброса, или, если затем имел место запуск, время между сбросом и запуском. Показание меняется в непрерывном цикле от 00:00 до 99:59 до запуска.
На дисплее отображается время (чч:мм) с момента сброса, или, если затем имел место запуск, время между сбросом и запуском. Показание меняется в непрерывном цикле от 00:00 до 99:59 до тех пор, пока не произойдет запуск.
2 и 3 (< и >) Осциллограмма перемещается влево или вправо для просмотра (клавиши становятся доступными для использования по завершении регистрации всей осциллограммы). При повторном нажатии 1 запускается новый цикл, обозначения < и > гаснут, с 00:00 начинается отсчет времени между сбросом и запуском. Положение осциллограммы, установленное клавишами < и >, сохраняется. Этими клавишами можно прокрутить осциллограмму на 6 делений развертки до запуска и на 19 после него (см. рис. 5-4).
5 (Exit – Выход) возвращает прибор к отображению программируемых клавиш настройки режима View.
Режим непрерывной развертки и автоматический выбор предела измерения в режимах "Single Shot" и "Glitch Capture" недоступны. Выбор режима "Touch Hold" отменяет режимы "Single Shot" и "Glitch Capture".
More
Less
Translation education
PhD - (Physics), Institute of Crystallography RAS, Moscow
Experience
Years of experience: 20. Registered at ProZ.com: Sep 2004.
Portfolio 